半導(dǎo)體管特性圖示儀型號(hào)：QT-2B

可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二管、三管的低頻直流參數(shù)，大集電電流可達(dá)50A，

產(chǎn)品型號(hào)：QT-2B

更新時(shí)間：2024-02-10

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半導(dǎo)體管特性圖示儀 型號(hào)：QT-2B

* QT-2B半導(dǎo)體管特性圖示儀可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二**管、三**管的低頻直流參數(shù)，**大集電**電流可達(dá)50A，基本滿足功率500W以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。
* 本儀器還附有高壓的測(cè)試裝置，可對(duì)5000V以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，其測(cè)試電流**高靈敏度達(dá)到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基**階梯信號(hào)還具有脈沖階梯輸出，因此可擴(kuò)大測(cè)量范圍及對(duì)二次擊穿特性的測(cè)量。
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)， -6V～+6V連續(xù)可調(diào)。特別適宜大功率VMOS管測(cè)試。
1. 集電**電流偏轉(zhuǎn)系數(shù)
  a)  集電**電流范圍(Ic)： 1μA/度～5A/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。
  b)  二**管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進(jìn)制分9檔，各檔誤差不大于3％。
  c)  集電**電流及二**管電流倍率×0.5，誤差不大于10％。
  d)  基**電流或基**源電壓0.1V/度，誤差不大于3％。
2. 集電**電壓偏轉(zhuǎn)系數(shù)
  a)  集電**電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。
  b)  二**管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進(jìn)制分3檔級(jí)，各檔誤差不大于10％。
  c)  基**電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進(jìn)制分7檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。
d)  基**電流或基**源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％。
3. 基**階梯信號(hào)
  a)  階梯電流范圍(IB)： 10uA/度～200mA/度。按1、2、5進(jìn)制分17檔級(jí)，各檔誤差不大于5％。
  b) 階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進(jìn)制分5檔級(jí)，各檔誤差不大于5％。
  c) 串聯(lián)電阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大于10％。
d) 階梯波形：分正常（100%）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調(diào)節(jié)范圍為10～40%。
e) 每簇級(jí)數(shù)：0～10級(jí)，連續(xù)可調(diào)。
f) 階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V，連續(xù)可調(diào)。
g) 階梯作用：分重復(fù)、關(guān)、單次三檔級(jí)。
h) 階梯輸入：分正常、零電流、零電壓三檔級(jí)。
i) 階梯**性：分正、負(fù)二檔。
4. 集電**掃描電壓
  a)  輸出電壓與檔級(jí)： 0～10V    正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
                                 0～50V    正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
                                 0～50V    正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
                                 0～100V   正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
                                 0～500V   正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
b)  輸出電流容量：     0～10V    50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時(shí)）
                     0～10V    20A（平均值）
                     0～50V    10A（平均值）
                     0～100V   5A （平均值）
                     0～500V   0.5A（平均值）
c)  功耗限制電阻：    0～500KΩ  按1、2、5進(jìn)制分20檔級(jí)，各檔誤差不大于10％。
d)   整流方式：       全波
e)  輸出**性：     ＋，－
f)  集電**容性電流；平衡后不超過2uA（10V檔）
g)  集電**漏電流；    平衡后不超過2uA（10V檔）
5. 二**管測(cè)試裝置
a)         輸出電壓：       0～5000V    正向連續(xù)可調(diào)
b)         輸出電流容量：   **大為5mA
c)         整流方式：       半波
6. 其他
a)   適配器
          高壓測(cè)試座、三**管測(cè)試座、功率三**管測(cè)試座
b)   重量   約30kg。
c)   外形尺寸
    300mm×408mm×520mm（W×H×D）。
d)  功耗：    非測(cè)試狀態(tài)時(shí)：約80VA；
             **大功率時(shí)：   約300VA。
e)   輸入電壓：   220V±10％；
f)   頻率：       50HZ±5％。
g)   示波管：     15SJ118-DC     有效工作面8×10cm。
h)  電磁兼容性
       傳導(dǎo)干擾應(yīng)符合GB/T 6833.9中第1章的要求。
       輻射干擾應(yīng)符合GB/T 6833.10中第1章的要求。
       環(huán)境應(yīng)符合GB/T 6587.1中Ⅱ級(jí)儀器的規(guī)定，運(yùn)輸試驗(yàn)按2級(jí)